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2012年LED封装技术四大发展趋势

来源:方田科技点击: 发布时间:2012-10-24 16:14

      LED封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化四个方向发展,目前主要的亮点有:硅基LED、COB封装技术、覆晶型LED芯片封装、高压LED。并将通过2012上海国际新光源新能源照明展览会暨论坛)这一权威性、专业性和国际化交流平台呈献给行业人士。

      硅基LED之所以引起业界越来越多的关注,是因为它比传统的蓝宝石基底LED的散热能力更强,因此功率可做得更大,Cree就重点在发展硅基LED,它目前存在的主要问题是良率还较低,导致成本还偏高。

      COB光源生产成本相对较低,散热功能明显,并且具有高封装密度和高出光密度的特性,易于进行个性化设计,是未来封装发展的主导方向之一。

      目前存在的问题是COB在降低一次光学透镜的多次折射而造成的出光损失,因此在出光效率和热能增加方面仍待改善,基板的制作良率也有待提升。

      覆晶型LED芯片封装是业界极力发展的目标之一。覆晶型芯片的制作较立体型简单许多,且可避掉复杂工艺,使得量产可行性大幅提升,加上后端芯片工艺辅助,搭配上eutectic固晶方式,大大简化了覆晶型芯片封装的技术门坎,在未来节能减碳的驱动下,覆晶型芯片封装会是很好的解决方案。

      高压LED的封装也是一大重点。高压产品的问世,就是以全新的思维解决固态照明因降压电路的存在而造成多余能量耗损的问题,并进而协助终端消费者降低购买成本,使得不同区域在不同的电压操作条件下,都能得到快速且方便的应用。

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